SLD90N03T是一款由美浦森生產(chǎn)的高性能N通道功率MOSFET，廣泛應用于電源管理、負載開關和脈沖寬度調(diào)制（PWM）等領域。本文將詳細介紹該器件的關鍵參數(shù)和引腳布局，幫助工程師更好地理解和應用這一高性能半導體器件。

產(chǎn)品概述

SLD90N03T采用先進的TRENCH工藝制造，旨在最小化導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。其主要特點包括極低的導通電阻（RDS(on)）、快速開關能力以及100%雪崩測試，確保器件在各種復雜工況下的可靠性。

關鍵參數(shù)

（一）電氣參數(shù)

    導通電阻（RDS(on)）

        在VGS = 10V時，RDS(on)典型值為3.8mΩ，最大值為4.5mΩ。
        在VGS = 4.5V時，RDS(on)典型值為5.5mΩ，最大值為7.0mΩ。
        低導通電阻意味著在高電流應用中，器件的功耗更低，效率更高。

    擊穿電壓（BVDSS）

        SLD90N03T的漏源擊穿電壓為30V，確保在額定電壓下穩(wěn)定工作，同時為過壓情況提供一定的安全裕度。

    漏極電流（ID）

        連續(xù)漏極電流在25℃時為90A，而在100℃時為58A。
        脈沖漏極電流可達360A，適用于高功率脈沖應用。

    柵極電壓（VGSS）

        柵極-源極電壓范圍為±20V，確保在不同驅(qū)動電壓下穩(wěn)定工作。

    動態(tài)參數(shù)

        輸入電容（Ciss）為1950pF，輸出電容（Coss）為320pF，反向傳輸電容（Crss）為240pF。

        開關特性包括13ns的開通延遲時間（td(on)）和36ns的開通上升時間（t(on)），以及43ns的關斷延遲時間和16ns的關斷下降時間。

        總柵極電荷（Qg）為42nC，柵源電荷（Qgs）為4nC，柵漏電荷（Qgd）為14nC。

    雪崩能量（EAS）

        單脈沖雪崩能量為90mJ，確保器件在過載情況下能夠安全地承受反向恢復能量。

（二）熱參數(shù)

    熱阻（RθJC）

        結點至外殼的熱阻為1.67℃/W，表明該器件具有良好的散熱性能，能夠在高功率應用中保持較低的結溫。

    工作溫度范圍

        工作和存儲溫度范圍為-55℃至+150℃，適用于各種惡劣環(huán)境。

（三）封裝與引腳

SLD90N03T采用D-Pak封裝，具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性。其引腳布局如下：

引腳     功能
G         柵極（Gate）
S          源極（Source）
D         漏極（Drain）

D-Pak封裝的引腳分布清晰，便于PCB布局和焊接。其封裝尺寸符合行業(yè)標準，適用于多種應用場景。

典型應用

SLD90N03T的低導通電阻和快速開關特性使其在以下應用中表現(xiàn)出色：

    電源管理

        作為開關元件，用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關電源和電源適配器中，提高電源轉(zhuǎn)換效率。

    負載開關

        在負載切換過程中，快速開關能力可減少開關損耗，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

    脈沖寬度調(diào)制（PWM）
        適用于電機驅(qū)動、逆變器和PWM控制器等應用，提供高效率和高可靠性。

總結

SLD90N03T是一款高性能的N通道功率MOSFET，其低導通電阻、快速開關能力和卓越的熱性能使其成為電源管理和功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇。通過了解其關鍵參數(shù)和引腳布局，工程師可以更好地將其應用于各種復雜電路設計中，實現(xiàn)高效、可靠的功率控制。