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LP3718BSL 12W電源管理芯片峰值電流解析與PCB設(shè)計(jì)優(yōu)化指南
類別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-01-15 14:01:57 瀏覽人數(shù):9048

在現(xiàn)代電子設(shè)備中,電源管理芯片扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是在適配器和充電器設(shè)計(jì)中。LP3718BSL 作為一款高度集成的隔離型適配器和充電器的自供電 PSR 控制芯片,以其極簡的外圍設(shè)計(jì)和高效的性能,成為了許多設(shè)計(jì)工程師的首選。本文將深入探討 LP3718BSL 的峰值電流特性,并提供詳細(xì)的 PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化指南,幫助工程師們在實(shí)際應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高性能和高可靠性的電源解決方案。

LP3718BSL 峰值電流詳解


LP3718BSL 是一款高度集成的隔離型適配器和充電器的自供電 PSR 控制芯片。其峰值電流是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),直接影響芯片的輸出能力和效率。根據(jù)規(guī)格書下方圖解,LP3718BSL 的最大峰值電流閾值(SEL 腳懸空@滿載)為 880 mA。這一參數(shù)確保了芯片在高負(fù)載條件下能夠穩(wěn)定工作,同時(shí)通過外接電阻可以精確調(diào)節(jié)峰值電流,以適應(yīng)不同的應(yīng)用場景。



PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化指南


在設(shè)計(jì) LP3718BSL 的 PCB 時(shí),需要遵循一系列優(yōu)化指南,以確保芯片的性能和可靠性。以下是一些關(guān)鍵的設(shè)計(jì)建議:

    VCC 旁路電容布局


        緊靠芯片引腳:VCC 的旁路電容應(yīng)緊靠芯片的 VCC 和 GND 引腳放置。這有助于減少寄生電感和電阻,提高電源的穩(wěn)定性。
        選擇合適的電容值:通常推薦使用 10 μF 到 100 μF 的電解電容,以確保在啟動和負(fù)載變化時(shí)提供足夠的濾波。

    SEL 腳電阻布局


        緊靠芯片引腳:SEL 腳的電阻應(yīng)緊靠芯片的 SEL 和 GND 引腳放置。這有助于減少電阻的寄生效應(yīng),確保峰值電流的精確設(shè)置。
        選擇合適的電阻值:根據(jù)公式 IPKMAX=12×103RSEL+12IPKMAX=RSEL+1212×103,選擇合適的電阻值以設(shè)置所需的峰值電流。建議 RSEL>15RSEL>15 kΩ。

    FB 引腳布局


        分壓電阻靠近引腳:接到 FB 引腳的分壓電阻必須靠近 FB 引腳放置,且節(jié)點(diǎn)要遠(yuǎn)離變壓器原邊繞組的動點(diǎn)。這有助于減少噪聲干擾,提高反饋信號的穩(wěn)定性。
        選擇合適的電阻值:根據(jù)公式 VFB=RFBHRFBH+RFBL×VOUTVFB=RFBH+RFBLRFBH×VOUT,選擇合適的上偏電阻 RFBHRFBH 和下偏電阻 RFBLRFBL 以設(shè)置所需的輸出電壓。

    減小功率環(huán)路面積


        變壓器原邊繞組:減小變壓器原邊繞組、功率管、母線電容的環(huán)路面積,以減少 EMI 輻射。
        變壓器副邊繞組:減小變壓器副邊繞組、整流二極管、輸出電容的環(huán)路面積,以減少 EMI 輻射。
        布線優(yōu)化:確保功率環(huán)路的布線盡可能短且直,避免不必要的迂回和交叉。

    C 引腳散熱設(shè)計(jì)


        增加鋪銅面積:適當(dāng)增加 C 引腳的鋪銅面積,以提高芯片的散熱性能。這有助于降低芯片的工作溫度,提高可靠性和壽命。
        熱管理:在必要時(shí),可以考慮使用散熱片或?qū)崮z來進(jìn)一步提高散熱效果。

典型應(yīng)用圖及實(shí)際應(yīng)用案例



在設(shè)計(jì)一款 18W 的充電器時(shí),我們采用了 LP3718BSL 芯片。通過以下設(shè)計(jì)優(yōu)化,確保了產(chǎn)品的高性能和高可靠性:

    VCC 旁路電容:使用了 47 μF 的電解電容,緊靠 VCC 和 GND 引腳放置。
    SEL 腳電阻:選擇了 20 kΩ 的電阻,確保峰值電流設(shè)置在 880 mA 左右。
    FB 引腳:使用了 100 kΩ 的上偏電阻和 10 kΩ 的下偏電阻,確保輸出電壓穩(wěn)定在 5 V。
    功率環(huán)路:通過優(yōu)化布線,減小了功率環(huán)路的面積,有效減少了 EMI 輻射。
    C 引腳散熱:增加了 C 引腳的鋪銅面積,并使用了導(dǎo)熱膠,確保芯片在高負(fù)載下工作溫度不超過 100 ℃。

通過以上設(shè)計(jì)優(yōu)化,我們的充電器在各種負(fù)載條件下均表現(xiàn)出色,滿足了設(shè)計(jì)要求和性能指標(biāo)。

總結(jié)


LP3718BSL 芯片的峰值電流為 880 mA,通過合理的 PCB 設(shè)計(jì),可以確保芯片在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。遵循上述設(shè)計(jì)指南,可以有效提高產(chǎn)品的性能和可靠性,減少 EMI 輻射,提高散熱效果。在實(shí)際應(yīng)用中,這些設(shè)計(jì)優(yōu)化措施已經(jīng)得到了驗(yàn)證,確保了產(chǎn)品的高性能和高可靠性。

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