LP3669B和LP3669F的區別

LP3669B和LP3669F是LP3669系列中的兩款不同型號的電源芯片，它們的主要區別在于支持的最大輸出功率和內置功率三極管的參數。以下是兩款芯片的具體差異：

功率等級：

LP3669B適用于5.0W的應用。
LP3669F適用于12.0W的應用。

內置功率三極管參數：

LP3669B的C、E極飽和電流（ICESAT）為0.4A。
LP3669F的C、E極飽和電流（ICESAT）為1.2A。

封裝類型：

LP3669B采用SOP7_150MIL封裝。
LP3669F采用SOP8_150MIL封裝。

引腳數：

LP3669B有7個引腳。
LP3669F有8個引腳。

LP3669系列電源芯片工作電路圖

LP3669系列是高性能的雙繞組原邊反饋控制芯片，廣泛應用于隔離型適配器和充電器中。以下是LP3669系列電源芯片的基本工作電路圖和工作原理的簡要說明：

啟動：
        芯片僅需1uA的啟動電流，系統上電后啟動電阻對Vcc的電容進行充電，當Vcc電壓達到芯片開啟閾值時，芯片內部控制電路開始工作。

恒流控制：

    芯片逐周期檢測電感的峰值電流，CS端連接到內部的峰值電流比較器的輸入端，與內部閾值電壓進行比較，當CS外部電壓達到內部檢測閾值時，功率管關斷。

恒壓控制：

    LP3669通過分壓電阻采樣反激電壓，電阻分壓后得到的電壓與內部基準比較形成閉環后，來恒定輸出電壓Vo。

保護功能：

    LP3669集成了多種保護功能，包括VCC鉗位/欠壓保護，輸出短路保護，過溫保護等。

工作頻率：

    LP3669工作于斷續模式，系統推薦最大頻率為60KHz。

輸出線補償：

    LP3669采用了特有的輸出線損補償技術，可以有效的補償輸出電流在線上的損耗壓降。

EMI優化：

    LP3669采用了特有的抖頻技術，可以在不增加系統成本的情況下，優化EMI特性。

以上是LP3669電源芯片的基本工作電路圖和工作原理的概述。具體的電路設計和應用需要根據實際的應用需求和設計要求來確定。